BSP110,115, MOSFET N-Channel 100V 0.5

PartNumber: BSP110,115
Ном. номер: 8013193796
Производитель: NXP Semiconductor
BSP110,115, MOSFET N-Channel 100V 0.5
Доступно на заказ более 80 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
59 × = 590
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 40 руб.
от 50 шт. — 34.60 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 0.9A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP BSP110,115 N-channel MOSFET Transistor, 0.52 A, 100 V, 4-pin SC-73

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Dual Drain, Single
размеры
6.7 x 3.7 x 1.7mm
высота
1.7mm
длина
6.7mm
Maximum Continuous Drain Current
0.52 A
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
6.25 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-73
Pin Count
4
Typical Input Capacitance @ Vds
25 pF@ 10 V
ширина
3.7mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V

Дополнительная информация

N-Ch Field-Effect Transistor, 100V, BSP110