BSP220,115, MOSFET P-Channel 200V 0.2

PartNumber: BSP220,115
Ном. номер: 8018796197
Производитель: NXP Semiconductor
BSP220,115, MOSFET P-Channel 200V 0.2
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
54 × = 540
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 40 руб.
от 50 шт. — 26 руб.

Описание

P-Channel MOSFET, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
NXP BSP220,115 P-channel MOSFET Transistor, 0.225 A, 200 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Технические параметры

Максимальное рассеяние мощности
1.5 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Типичное время задержки выключения
30 ns
Типичная входная емкость при Vds
65 пФ при -25 В
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
20 нс
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-223
Максимальный непрерывный ток стока
0.225 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
3.7mm
Высота
1.7mm
Максимальное сопротивление сток-исток
12 Ω
Число контактов
3 + 1 (Tab)
Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Двойной дренаж, одиночный
Тип канала
P
Номер канала
Поднятие
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.7
Длина
6.7mm
Максимальное напряжение сток-исток
200 V

Дополнительная информация

Trans MOSFET PCH 200V 0.225A 4P 3Tab