BSP250,115, MOSFET P-Channel 30V 3A S

PartNumber: BSP250,115
Ном. номер: 8090897800
Производитель: NXP Semiconductor
BSP250,115, MOSFET P-Channel 30V 3A S
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 88 руб.
от 25 шт. — 52.40 руб.

Описание

P-Channel MOSFET, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP BSP250,115 P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 30 V, 4-Pin SC-73

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Dual Drain, Single
размеры
6.7 x 3.7 x 1.7mm
высота
1.7mm
длина
6.7mm
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Resistance
0.25 Ω
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.65 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SC-73
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC V @ 10
Typical Input Capacitance @ Vds
250 pF V @ 20
ширина
3.7mm

Дополнительная информация

BSP250 P-Channel D-MOS Transistor Data Sheet