BSP316P, MOSFET P-Channel 100V 0.6

PartNumber: BSP316P
Ном. номер: 8012967398
Производитель: Infineon Technologies
BSP316P, MOSFET P-Channel 100V 0.6
Доступно на заказ 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
62 × = 620
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 43 руб.

Описание

P-Channel MOSFETs up to 0.9A

MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Infineon BSP316P P-channel MOSFET Transistor, 0.68 A, -100 V, 4-pin SOT-223

Технические параметры

разрешение
Small Signal
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
конфигурация
Dual Drain
размеры
6.5 x 3.5 x 1.6mm
высота
1.6mm
длина
6.5mm
Maximum Continuous Drain Current
0.68 A
Maximum Drain Source Resistance
2.3 Ω
Maximum Drain Source Voltage
-100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.8 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-223
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
-5.1 nC@ -10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
117 pF@ -25 V
Typical Turn-Off Delay Time
67.4 ns
Typical Turn-On Delay Time
4.7 ns
ширина
3.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V

Дополнительная информация

BSP316P, SIPMOS® Small-Signal-Transistor MOSFET