BSP320S, MOSFET N-Channel 60V 2.9A

PartNumber: BSP320S
Ном. номер: 8042715251
Производитель: Infineon Technologies
BSP320S, MOSFET N-Channel 60V 2.9A
Доступно на заказ 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
51 × = 510
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Infineon BSP320S N-channel MOSFET Transistor, 2.9 A, 60 V, 4-pin SOT-223

Технические параметры

разрешение
Small Signal
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Dual Drain
размеры
6.5 x 3.5 x 1.6mm
высота
1.6mm
длина
6.5mm
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Resistance
0.12 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.8 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-223
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
9.7 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
275 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
25 ns
Typical Turn-On Delay Time
11 ns
ширина
3.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V

Дополнительная информация

BSP320S, SIPMOS Small-Signal-Transistor