BSP75G, Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, N Channel, 60 В, 1.4 А, 0.55 Ом, SOT-223, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
270 руб.
от 100 шт. —
202 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The BSP75G is an IntelliFET™ N-channel self-protected low-side MOSFET features monolithic overtemperature, overcurrent, overvoltage (active clamp) and ESD protected logic level power MOSFET intended as a general purpose switch.
• Short circuit protection with auto restart
• Overvoltage protection (active clamp)
• Thermal shutdown with auto restart
• Overcurrent protection
• Input protection (ESD)
• High continuous current rating
• Load dump protection (actively protects load)
• Logic level input
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.55Ом |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 1.4А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.55Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-223 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 252 КБ
Datasheet BSP75GTA
pdf, 751 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
