Добавить к сравнению Сравнить ()

BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]

Артикул: BSS123
Ном. номер: 9000119197
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/3 BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]
Фото 2/3 BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]Фото 3/3 BSS123, Транзистор, N-канал 100В 170мА [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
3 × = 3
от 100 шт. — 2.50 руб.
от 1000 шт. — 2.30 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The BSS123 is a 100V N-channel logic level enhancement mode Field Effect Transistor produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This device has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications. This product is general usage and suitable for many different applications.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• Rugged and reliable
• ±20V Continuous gate source voltage (VGSS)
• 350°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
6000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

BSS123
pdf, 145 КБ

Дополнительная информация

Datasheet BSS123
Datasheet BSS123
Datasheet BSS123
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов