BSS126, MOSFET N-Ch 600V SIPMOS S

PartNumber: BSS126
Ном. номер: 8012948473
Производитель: Infineon Technologies
BSS126, MOSFET N-Ch 600V SIPMOS S
Доступно на заказ более 90 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
52 × = 520
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon BSS126 N-channel MOSFET Transistor, 0.017 A, 600 V Depletion, 3-Pin SOT-23

Технические параметры

Категория
Малый сигнал
Номер канала
Опускание
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
2.9 x 1.3 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
0.017 А
Максимальное сопротивление сток-исток
700 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
1.4 нКл при 5 В
Типичная входная емкость при Vds
21 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
14 нс
Типичное время задержки включения
6.1 нс
Ширина
1.3mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
-1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Высота
1mm
Длина
2.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSS126 SIPMOS Small Signal Transistor Data Sheet