BSS126, MOSFET N-Channel 600V 0.0

PartNumber: BSS126
Ном. номер: 8046959013
Производитель: Infineon Technologies
BSS126, MOSFET N-Channel 600V 0.0
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
28 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 50 шт. — 16 руб.
от 125 шт. — 12.72 руб.

Описание

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Infineon BSS126 N-channel MOSFET Transistor, 0.021 A, 600 V Depletion, 3-pin SOT-23

Технические параметры

разрешение
Small Signal
Channel Mode
Depletion
Channel Type
N
размеры
2.9 x 1.3 x 1mm
высота
1mm
длина
2.9mm
Maximum Continuous Drain Current
0.021 A
Maximum Drain Source Resistance
700 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.5 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-23
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
1.4 nC@ 5 V
Typical Input Capacitance @ Vds
21 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
14 ns
Typical Turn-On Delay Time
6.1 ns
ширина
1.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage
-1.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
-2.7V

Дополнительная информация

BSS126, SIPMOS Small-Signal-Transistor