BSS314PE H6327, MOSFET P-Channel 30V 1.5A

PartNumber: BSS314PE H6327
Ном. номер: 8050063136
Производитель: Infineon Technologies
BSS314PE H6327, MOSFET P-Channel 30V 1.5A
Доступно на заказ более 600 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
8 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 100 шт.
от 200 шт. — 6.10 руб.
от 500 шт. — 5.32 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET P-Channel 30V 1.5A SOT23-3

Технические параметры

Категория
Малый сигнал
Номер канала
Enhancement
Тип канала
P
Конфигурация
Single
Размеры
2.9 x 0.1 x 1.3мм
Максимальный непрерывный ток стока
1.5 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.23 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
0.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-23
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
-2.9 nC @ -10 V
Типичная входная емкость при Vds
221 пФ при -15 В
Типичное время задержки выключения
12.4 ns
Типичное время задержки включения
5.1 нс
Ширина
0.1mm
Прямое напряжение диода
1.1V
Прямая активная межэлектродная проводимость
3s
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Высота
1.3mm
Длина
2.9mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSS314PE, OptiMOS-P3 Small-Signal-Transistor