BSS806N H6327, MOSFET N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
61 руб.
от 1000 шт. —
31.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 41 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 550 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 9.9 ns |
| Время спада | 3.7 ns |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | BSS806NH6327XTSA1 BSS86NH6327XT SP000928952 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BSS806 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 12 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.3 mm |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
