BSS8402DW-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 47 шт.
Добавить в корзину 47 шт.
на сумму 376 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой BSS8402DW-7-F от DIODES INCORPORATED представляет собой высокопроизводительный компонент типа N+P-MOSFET, выполненный в надежном корпусе SOT363. Данный транзистор подходит для поверхностного монтажа (SMD) и обладает током стока 0,115 А, что делает его идеальным для использования в сложных схемах с ограниченным пространством. Напряжение сток-исток составляет 60 В, а мощность достигает 0,2 Вт, обеспечивая достаточную прочность для большинства низковольтных применений. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 10 Ом, что гарантирует эффективную работу компонента. Используйте BSS8402DW7F для повышения эффективности ваших электронных устройств. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N+P-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.115 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 0.2 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 10 |
| Корпус | SOT363 |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 0.08 S, 0.05 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA, 130 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms, 10 Ohms |
| Series: | BSS84 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Type: | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns, 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns, 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V, 50 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V, 800 mV |
| Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 439 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
