BSS84AKQBZ, MOSFET BSS84AKQB/ SOT8015/DFN1110D-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6619 шт., срок 6-8 недель
130 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
35 руб.
от 1000 шт. —
20.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 3.8Ом |
Power Dissipation | 420мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
Непрерывный Ток Стока | 270мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.6В |
Стиль Корпуса Транзистора | DFN1110D |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары