BST82, MOSFET N-Channel 100V 0.1

PartNumber: BST82
Ном. номер: 8060737309
Производитель: NXP Semiconductor
BST82, MOSFET N-Channel 100V 0.1
Доступно на заказ 205 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
20 × = 100
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 10 шт. — 17 руб.
от 25 шт. — 13.20 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, up to 0.9A, NXP Semiconductors

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
NXP BST82 N-channel MOSFET Transistor, 0.19 A, 100 V, 3-Pin TO-236AB

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
3 x 1.4 x 1mm
высота
1mm
длина
3mm
Maximum Continuous Drain Current
0.19 A
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
0.83 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-236AB
Pin Count
3
Typical Input Capacitance @ Vds
25 pF V @ 10
ширина
1.4mm

Дополнительная информация

BST82 N-Channel D-MOS Transistor Data Sheet