BSZ060NE2LS, MOSFET N-Ch 12A 25V OptiM

PartNumber: BSZ060NE2LS
Ном. номер: 8003167706
Производитель: Infineon Technologies
BSZ060NE2LS, MOSFET N-Ch 12A 25V OptiM
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
33 × = 825
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 12A 25V OptiMOS TSDSON8EP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0081 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
26 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TSDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
9.1 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
670 пФ при 12 В
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки включения
2.5 ns
Ширина
3.4mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.1mm
Длина
3.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSZ060NE2LS, OptiMOS Power-MOSFET