BSZ067N06LS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 60 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.7 В

PartNumber: BSZ067N06LS3GATMA1
Ном. номер: 8017963075
Производитель: Infineon Technologies
BSZ067N06LS3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 2179 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 110
от 25 шт. — 90 руб.
от 100 шт. — 77 руб.

Описание

The BSZ067N06LS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.

• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON)
• Ideal for fast switching applications
• MSL1 rated
• Highest system efficiency
• Increased power density
• Very low voltage overshoot
• Optimized technology for DC-to-DC converters
• Normal level
• 100% Avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2212830

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
20А
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.005Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.7В
Рассеиваемая Мощность
69Вт
Стиль Корпуса Транзистора
PG-TSDSON
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet BSZ067N06LS3GATMA1