BSZ0902NSI, MOSFET N-Ch 21A 30V OptiM

PartNumber: BSZ0902NSI
Ном. номер: 8060343140
Производитель: Infineon Technologies
BSZ0902NSI, MOSFET N-Ch 21A 30V OptiM
Доступно на заказ более 70 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
65 × = 1 300
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 21A 30V OptiMOS TSDSON8EP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0037 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
48 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TSDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
12.2 нКл при 4.5 В
Типичная входная емкость при Vds
1500 pF @ 15 V
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
3.9 нс
Ширина
3.4mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1.1mm
Длина
3.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSZ0902NSI, OptiMOS Power-MOSFET