BSZ130N03LS G, MOSFET N-Channel 30V 35A

PartNumber: BSZ130N03LS G
Ном. номер: 8005478503
Производитель: Infineon Technologies
BSZ130N03LS G, MOSFET N-Channel 30V 35A
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 140 × = 1 140
от 2 шт. — 910 руб.
от 10 шт. — 698 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 30V 35A OptiMOS TSDSON8

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
35 A
Максимальное сопротивление сток-исток
21 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
25 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TSDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
5 nC @ 4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
730 pF @ 15 V
Типичное время задержки выключения
13 ns
Типичное время задержки включения
2.9 нс
Ширина
3.4mm
Прямое напряжение диода
1.1V
Прямая активная межэлектродная проводимость
45s
Материал транзистора
Кремний
Высота
1.1mm
Длина
3.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSZ130N03LS G