BSZ340N08NS3 G, MOSFET N-Channel 80V 6A T

PartNumber: BSZ340N08NS3 G
Ном. номер: 8040261818
Производитель: Infineon Technologies
BSZ340N08NS3 G, MOSFET N-Channel 80V 6A T
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
45 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 200 шт. — 25 руб.
от 1000 шт. — 16.67 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60V and over
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 80V 6A TSDSON8 EP

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Размеры
3.4 x 3.4 x 1.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
23 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.066 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
32 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TSDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
6.8 нс при Вгс
Типичная входная емкость при Vds
470 пФ при 40 В
Типичное время задержки выключения
11 ns
Типичное время задержки включения
8 нс
Ширина
3.4mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
16s
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
1.1mm
Длина
3.4mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

BSZ340N08NS3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor