BUK6Y33-60PX, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 30 А, 0.026 Ом, LFPAK56, Surface Mount

BUK6Y33-60PX, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 30 А, 0.026 Ом, LFPAK56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1195 шт., срок 7-9 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт.280 руб.
от 100 шт.210 руб.
Добавить в корзину 9 шт. на сумму 2 790 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8004136291
Артикул: BUK6Y33-60PX
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
60V 30A 110W 33mΩ@7A,10V 3V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Channel Type P Channel
Drain Source On State Resistance 0.026Ом
Power Dissipation 110Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 30А
Полярность Транзистора P Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 110Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.026Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора LFPAK56
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Continuous Drain Current (Id) 30A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 33mΩ@7A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss) 60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 3V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 2.59nF@30V
Operating Temperature -55℃~+175℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 110W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 69nC@10V
Type P Channel
Вес, г 4.75

Техническая документация

Datasheet
pdf, 242 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.