BUK6Y33-60PX, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 60 В, 30 А, 0.026 Ом, LFPAK56, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1195 шт., срок 7-9 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
210 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 790 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
60V 30A 110W 33mΩ@7A,10V 3V@250uA P Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.026Ом |
Power Dissipation | 110Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 30А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.026Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK56 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Continuous Drain Current (Id) | 30A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 33mΩ@7A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.59nF@30V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 110W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 69nC@10V |
Type | P Channel |
Вес, г | 4.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 242 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары