BUK755R4-100E, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 100 В, 0.0041 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: BUK755R4-100E
Ном. номер: 8068436863
Производитель: NXP Semiconductor
BUK755R4-100E, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 852 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
250 × = 250
от 25 шт. — 223 руб.
от 100 шт. — 201 руб.

Описание

The BUK755R4-100E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
• True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175°C
• -55 to 175°C Junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2215769

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
120А
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0041Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
349Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220AB
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet BUK755R4-100E