BUK7631-100E, МОП-транзистор, N Канал, 34 А, 100 В, 0.0243 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: BUK7631-100E
Ном. номер: 8105081311
Производитель: NXP Semiconductor
BUK7631-100E, МОП-транзистор, N Канал, 34 А ...
Доступно на заказ 918 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
69 × = 69
от 25 шт. — 64 руб.
от 100 шт. — 57 руб.

Описание

The BUK7631-100E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
• True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175°C
• -55 to 175°C Junction temperature range

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2254211

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
34А
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0243Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
96Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet BUK7631-100E