BUK7Y9R9-80E, МОП-транзистор, N Канал, 89 А, 80 В, 0.0073 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: BUK7Y9R9-80E
Ном. номер: 8069788447
Производитель: NXP Semiconductor
BUK7Y9R9-80E, МОП-транзистор, N Канал, 89 А ...
Доступно на заказ 1688 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
64 × = 64
от 25 шт. — 61 руб.
от 100 шт. — 56 руб.

Описание

The BUK7Y9R9-80E is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The device has been designed and qualified to AEC-Q101 standard for use in high performance automotive applications.

• Repetitive avalanche rated
• Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
• True standard level gate with VGS (th) rating of greater than 1V at 175°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2319939

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
89А
Напряжение Истока-стока Vds
80В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0073Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
195Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-669
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet BUK7Y9R9-80E