BUT11AI, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=450В, Vcbo=1000В, Pd=100Вт [TO-220]
![BUT11AI, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=450В, Vcbo=1000В, Pd=100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1127 шт. со склада г.Москва
170 руб.
от 15 шт. —
128 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Технические параметры
| Структура | npn | |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 1000 | |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 450 | |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 | |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 100 | |
| Корпус | to-220 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
ISCSEMI BUT... Bipolar Transistots
pdf, 97 КБ
Datasheet BUT11
pdf, 121 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
