BUV26G, NPN Power Transistor 90V

PartNumber: BUV26G
Ном. номер: 8015615097
Производитель: ON Semiconductor
BUV26G, NPN Power Transistor 90V
Доступно на заказ 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
140 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

NPN Power Transistors, ON Semiconductor

Bipolar Transistors, ON Semiconductor
A wide range of Bipolar Transistors from ON Semiconductor, which includes the following categories:

Small Signal Transistors
General Purpose Transistors
Dual NPN and PNP Transistors
Power Transistors
High Voltage Transistors
RF Bipolar Transistors
Low Noise, Dual Matched and Complex Bipolar Transistors

Bipolar Transistors

Технические параметры

конфигурация
Single
размеры
10.28 x 4.82 x 15.75mm
высота
15.75mm
длина
10.28mm
Maximum Collector Base Voltage
180 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage
90 V
Maximum DC Collector Current
20 A
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
85 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
ширина
4.82mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V dc
Transistor Type
NPN

Дополнительная информация

BUV26 Switchmode Series NPN Power Transistor Data Sheet BUV26G