BUZ11A, Транзистор полевой, N-канал, Id=25А, Vdss=50В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=0.055 Ом [TO-220]
![BUZ11A, Транзистор полевой, N-канал, Id=25А, Vdss=50В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=0.055 Ом [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
134 шт. со склада г.Москва
190 руб.
от 15 шт. —
159 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 Ом/19А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 75 | |
| Крутизна характеристики, S | 8 | |
| Корпус | to-220 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
ISCSEMI BUZ... MOSFETs
pdf, 74 КБ
Datasheet BUZ11A
pdf, 68 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
С этим товаром покупают
