BUZ30A, MOSFET N-Channel 200V 21A

PartNumber: BUZ30A
Ном. номер: 8064298151
Производитель: Infineon Technologies
BUZ30A, MOSFET N-Channel 200V 21A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
340 × = 340
от 5 шт. — 170 руб.
от 20 шт. — 122.50 руб.

Описание

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Infineon BUZ30A N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 200 V, 3-pin TO-220

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10 x 4.4 x 9.25mm
высота
9.25mm
длина
10mm
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Resistance
0.13 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
125 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
Typical Input Capacitance @ Vds
1400 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
250 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
ширина
4.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V

Дополнительная информация

TRANSISTOR
BUZ 30A Power Transistor Data Sheet