BUZ30A, MOSFET N-Channel 200V 21A

PartNumber: BUZ30A
Ном. номер: 8064298151
Производитель: Infineon Technologies
BUZ30A, MOSFET N-Channel 200V 21A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 4-5 недель.
370 × = 370
от 5 шт. — 180 руб.
от 20 шт. — 134 руб.

Описание

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Infineon BUZ30A N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 200 V, 3-pin TO-220

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10 x 4.4 x 9.25mm
высота
9.25mm
длина
10mm
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Resistance
0.13 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
125 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
Typical Input Capacitance @ Vds
1400 pF@ 25 V
Typical Turn-Off Delay Time
250 ns
Typical Turn-On Delay Time
30 ns
ширина
4.4mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V

Дополнительная информация

BUZ 30A Power Transistor Data Sheet BUZ30A
TRANSISTOR BUZ30A
TRANSISTOR
BUZ 30A Power Transistor Data Sheet