BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]
![BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]](https://static.chipdip.ru/lib/343/DOC001343908.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 руб.
от 15 шт. —
68 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 75 руб.
Описание
Транзистор МОП n-канальный, полевой, 200В, 21А, 125Вт, Ugs ±20В
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.13 Ом/13.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Крутизна характеристики, S | 15 | |
| Корпус | PG-TO263-3 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
BUZ30A
pdf, 2009 КБ
Infineon-BUZ30AH3045A-DS-v02_02-en
pdf, 1654 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
