C2M0040120D, N-chan SiC MOSFET 1200V 9

PartNumber: C2M0040120D
Ном. номер: 8010082297
Производитель: Cree
C2M0040120D, N-chan SiC MOSFET 1200V 9
Доступно на заказ более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
4 680 × = 4 680

Описание

Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.

MOSFET Transistors, Wolfspeed

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Wolfspeed C2M0040120D N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 1200 V, 3-Pin TO-247

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное сопротивление сток-исток
52 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
1200 V
Максимальное напряжение затвор-исток
+20 V, -5 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
330 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
115 nC @ -5 V/+20 V
Типичная входная емкость при Vds
1893 pF @ 1000 V
Типичное время задержки выключения
26 нс
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
5.21
Новинки
только новые товары
Прямое напряжение диода
3.3V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
21.1mm
Длина
16.13mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

C2M0040120D Silicon Carbide Power MOSFET