C2M0160120D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 19 А, 1.2 кВ, 0.16 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

107 шт., срок 8-10 недель

3 360 руб.

от 5 шт. — 3 080 руб.

от 10 шт. — 2 860 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 360 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8770690185

Артикул: C2M0160120D

Бренд: WOLFSPEED

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules

Полевой транзистор N-канальный 12В 17.7А 3-Pin(3+Tab) TO-247

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	3.3V
Maximum Continuous Drain Current	19 A
Maximum Drain Source Resistance	196 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	1200 V
Maximum Gate Source Voltage	-5 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	125 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	SiC
Typical Gate Charge @ Vgs	34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 V
Width	5.21mm
Вес, г	8.15