C3M0075120J, Silicon Carbide MOSFET, C3M™ SiC МОП-транзистор, Single, N Канал, 30 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом

Фото 1/2 C3M0075120J, Silicon Carbide MOSFET, C3M™ SiC МОП-транзистор, Single, N Канал, 30 А, 1.2 кВ, 0.075 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
441 шт., срок 7-9 недель
4 090 руб.
от 5 шт.3 840 руб.
от 10 шт.3 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 090 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8828151848
Артикул: C3M0075120J
Бренд: WOLFSPEED

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules
Wolfspeed extends its leadership in SiC technology by introducing advanced SiC MOSFET technology in new low inductance discrete packing.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 30 A
Maximum Drain Source Resistance 75 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 1200 V
Maximum Gate Source Voltage -8 V, 19 V
Maximum Gate Threshold Voltage 3.6V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 113.6 W
Minimum Gate Threshold Voltage 1.8V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-263-7
Pin Count 7
Transistor Configuration Single
Transistor Material SiC
Typical Gate Charge @ Vgs 48 nC @ 4/15V
Width 9.12mm
Continuous Drain Current (Id) 30A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 90mΩ@20A, 15V
Drain Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 4V@5mA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 1.35nF@1000V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 113.6W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 51nC@15V
Type null
Вес, г 2.086

Техническая документация

Wolfspeed C3M0075120J
pdf, 1009 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.