CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)

Ном. номер: 835610975
Производитель: Mitsubishi
Фото 1/2 CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)
Фото 2/2 CM75TU-24F, 6 IGBT RTC 1200V 75A 4-gen (F-Series)
Есть в наличии более 1 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
9 740 × = 9 740
или
купить в 1 клик
от 4 шт. — 8 660 руб.

Описание

F-серия IGBT модулей Mitsubishi выпускается по trench технологии, которая позволила достигнуть предело низкого напряжения насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 В для модулей 600 В и 1.9 В для модулей 1200 В (при температуре перехода 125оС). Также, trench технология использует вертикальное расположение затвора, где движение тока идет по кратчайшему пути, снижая общие потери на проводимость.
Корпус модулей не имеет паяльных соединений, что значительно снижает внутреннюю индуктивность на 1/3 по сравнению с модулями конкурентов. Также, транзисторные сборки F серии отличаются низким уровнем электромагнитных помех.
Все модули имеют интегрированный быстродействующий диод с улучшенными рабочими характеристиками. Токовое зеркало и непрерывное отслеживание тока (RTC схема) снижает значение тока короткого замыкания.

Макс.напр.к-э,В1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В1.8
Номинальный ток одиночного тр-ра,А75
Структура модуля3-фазный мост
Тип силового модуляСборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции,кГц20
Входная емкость затвора,нФ29
Драйвер управлениявнешний
Защита по токунет
Защита от короткого замыканиянет
Защита от перегреванет
Защита от пониженного напряжения питаниянет
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт450
Максимальный ток эмиттера, А150
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В6
Напряжение эмиттер-коллектор,В1.8
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс50
Напряжение изоляции, В2500
Температурный диапазон,С-40…150
ПроизводительMitsubishi Electric Semiconductor

Техническая документация