CSD13381F4T, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 30 шт. —
96 руб.
от 250 шт. —
77.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 190 руб.
Описание
12V 2.1A 180mΩ@500mA,4.5V 500mW 1.1V@250uA null PicoStar-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 2.1A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@500mA, 4.5V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 200pF@6V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.4nC@4.5V |
Type | null |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 2.1 A |
Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | PICOSTAR |
Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1709 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов