CSD17577Q3AT, N-Channel NexFET MOSFET 3

PartNumber: CSD17577Q3AT
Ном. номер: 8061445318
Производитель: Texas Instruments
CSD17577Q3AT, N-Channel NexFET MOSFET 3
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
84 × = 840
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 58 руб.
от 50 шт. — 47.60 руб.

Описание

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Texas Instruments CSD17577Q3AT N-channel MOSFET Transistor, 19 A, 30 V, 8-Pin VSCONP

Технические параметры

Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
2.8 Вт
Прямое напряжение диода
1V
Категория
NexFET Power MOSFET
Типичная входная емкость при Vds
1780 pF @ 15 V
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, тройной источник
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 4.5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Ширина
3.5mm
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Число контактов
8
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
4 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
3.5 x 3.5 x 0.9мм
Длина
3.5mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
VSCONP
Максимальный непрерывный ток стока
19 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.9mm
Максимальное сопротивление сток-исток
6.4 mΩ