CY62128ELL-45SXI, SRAM

Артикул: CY62128ELL-45SXI
Ном. номер: 9000093083
Производитель: Cypress
CY62128ELL-45SXI, SRAM
Доступно на заказ 245 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
350 × = 350
от 10 шт. — 255 руб.
от 100 шт. — 212 руб.

Описание

The CY62128ELL-45SXI is a 1MB high performance CMOS Static Random Access Memory (SRAM) organized as 128K words by 8-bit. This device features advanced circuit design to provide ultra low active current. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable applications. The device also has an automatic power down feature that significantly reduces power consumption when addresses are not toggling. Placing the device into standby mode reduces power consumption by more than 99% when deselected. The eight input and output pins are placed in a high impedance state when the device is deselected, the outputs are disabled or a write operation is in progress. To write to the device, take chip enable and write enable inputs LOW. To read from the device, take chip enable and output enable LOW while forcing write enable HIGH. Under these conditions, the contents of the memory location specified by the address pins appear on the I/O pins.

• Very high speed - 45ns
• Pin compatible with CY62128B
• Ultralow standby power
• Ultralow active power
• Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE
• Automatic power down when deselected
• CMOS for optimum speed/power

Код: 1650060

Технические параметры

Размер Памяти
1Мбит
Конфигурация Памяти SRAM
128К x 8бит
Минимальное Напряжение Питания
4.5В
Максимальное Напряжение Питания
5.5В
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
SOIC
Количество Выводов
32вывод(-ов)
Время Доступа
45нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
85°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Техническая документация

CY62128E
pdf, 857 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных микросхем
Datasheet CY62128ELL-45SXI