CY7C1051DV33-10ZSXI, IC, SRAM, 8 Mbit, 512K x 16bit, 10 ns Access Time, 3 V to 3.6 V supply, TSOP-II-44

PartNumber: CY7C1051DV33-10ZSXI
Ном. номер: 8020575466
Производитель: Cypress
CY7C1051DV33-10ZSXI, IC, SRAM, 8 Mbit ...
Доступно на заказ 53 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
2 070 × = 2 070
от 10 шт. — 1 970 руб.

Описание

The CY7C1051DV33-10ZSXI is a 8Mb high performance CMOS Static RAM organized as 512K words by 16-bits. To write to the device, take chip enable and write enable inputs LOW. If byte LOW enable is LOW, then data from I/O pins, is written into the location specified on the address pins. If byte HIGH enable is LOW, then data from I/O pins is written into the location specified on the address pins. To read from the device, take chip enable and output enable LOW while forcing the write enable HIGH. If byte LOW enable is LOW, then data from the memory location specified by the address pins appears on I/O0-I/O7. If byte HIGH enable is LOW, then data from memory appears on I/O8 to I/O15. The input/output pins are placed in a high-impedance state when the device is deselected, the outputs are disabled, the BHE and BLE are disabled or a write operation is in progress.

• Low CMOS standby power
• Automatic power-down when deselected
• TTL-compatible inputs and outputs
• Easy memory expansion with CE and OE

Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
Код: 2115428

Технические параметры

Размер Памяти
8Мбит
Конфигурация Памяти SRAM
512К x 16бит
Минимальное Напряжение Питания
Максимальное Напряжение Питания
3.6В
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
TSOP-II
Количество Выводов
44вывод(-ов)
Время Доступа
10нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
85°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet CY7C1051DV33-10ZSXI