Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › DMMT3906W-7-F, Транзистор: PNP; биполярный

DMMT3906W-7-F, Транзистор: PNP; биполярный

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

18 руб.

Кратность заказа 10 шт.

от 100 шт. — 11 руб.

от 300 шт. — 8.60 руб.

от 3000 шт. — 6.95 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 180 руб.

Номенклатурный номер: 8017546579

Артикул: DMMT3906W-7-F

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT -40V 225mW MATCHED

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	250 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DMMT3906
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-363-6
Ширина	1.35 mm
Maximum Collector Base Voltage	-40 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum DC Collector Current	200 mA
Maximum Emitter Base Voltage	-5 V
Maximum Operating Frequency	250 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Minimum DC Current Gain	100
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-363(SC-88)
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Type	PNP
Вес, г	0.008