DMN3007LSS, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 16 А, 30 В, 0.005 Ом, 10 В, 1.3 В

PartNumber: DMN3007LSS
Ном. номер: 8079540938
Производитель: Diodes Incorporated
DMN3007LSS, МОП-транзистор, режим обогащения ...
Доступно на заказ 11 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
52 × = 52

Описание

The DMN3007LSS is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.

• Low ON-resistance
• Low gate threshold voltage
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2061410

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
16А
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.005Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.3В
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet DMN3007LSS