DMN3016LK3-13, 30V N-CH Enhancement Mode

PartNumber: DMN3016LK3-13
Ном. номер: 8003548043
Производитель: DiodesZetex
DMN3016LK3-13, 30V N-CH Enhancement Mode
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
35 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 100 шт. — 19 руб.
от 500 шт. — 13.34 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Diodes Inc DMN3016LK3-13 N-channel MOSFET Transistor, 38 A, 30 V, 3+Tab-Pin TO-252

Технические параметры

Типичная входная емкость при Vds
1415 пФ при 15 В
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
25.1 nC @ -10 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
4.8 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
6.2 x 6.7 x 2.39мм
Длина
6.2mm
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Тип корпуса
TO-252
Максимальный непрерывный ток стока
38 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.39mm
Максимальное сопротивление сток-исток
16 mΩ
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.7mm
Максимальное рассеяние мощности
2.8 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
2.3V
Число контактов
3 + Tab
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Типичное время задержки выключения
26.1 нс
Прямое напряжение диода
1V
Категория
Переключатель управления питанием

Дополнительная информация

DMN3016LK3, 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET