DMN6070SSD-13, MOSFET Dual N-Ch 60V 4.1A

PartNumber: DMN6070SSD-13
Ном. номер: 8027352971
Производитель: DiodesZetex
DMN6070SSD-13, MOSFET Dual N-Ch 60V 4.1A
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
32 × = 640
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.

Описание

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET Dual N-Ch 60V 4.1A Enhanc. SOIC8

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Dual
Размеры
4.95 x 3.95 x 1.5мм
Максимальный непрерывный ток стока
4.1 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.1 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.5 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
12.3 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
588 пФ при 30 В
Типичное время задержки выключения
35 нс
Типичное время задержки включения
3.5 ns
Ширина
3.95mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
1.5mm
Длина
4.95mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

DMN6070SSD 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT ...