DMN62D1LFD-7, N-CH Enhancement Mode MOS

PartNumber: DMN62D1LFD-7
Ном. номер: 8028269866
Производитель: DiodesZetex
DMN62D1LFD-7, N-CH Enhancement Mode MOS
Доступно на заказ более 300 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
14 × = 700
Количество товаров должно быть кратно 50 шт.
от 250 шт. — 6.80 руб.
от 1000 шт. — 4.77 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Diodes Inc DMN62D1LFD-7 N-channel MOSFET Transistor, 0.4 A, 60 V, 3-Pin X1-DFN

Технические параметры

Категория
Переключатель управления питанием
Типичная входная емкость при Vds
36 pF @ 25 V
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
0.55 нКл при -4.5 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
2.1 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
1.25 x 1.25 x 0.48мм
Длина
1.25mm
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Тип корпуса
X1DFN
Максимальный непрерывный ток стока
0.4 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.48mm
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ом
Количество элементов на ИС
1
Ширина
1.25mm
Максимальное рассеяние мощности
0.5 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Типичное время задержки выключения
21 нс
Прямое напряжение диода
1.3V

Дополнительная информация

DMN62D1LFD, 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET