DMT6010LFG-7, 60V 13A N-CH MOSFET Tran

PartNumber: DMT6010LFG-7
Ном. номер: 8053217448
Производитель: DiodesZetex
DMT6010LFG-7, 60V 13A N-CH MOSFET Tran
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
47 × = 940
Количество товаров должно быть кратно 20 шт.
от 100 шт. — 32 руб.
от 500 шт. — 22.50 руб.

Описание

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Diodes Inc DMT6010LFG-7 N-channel MOSFET Transistor, 30 A, 60 V, 8-Pin POWERDI3333

Технические параметры

Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.35mm
Максимальное рассеяние мощности
41 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Типичное время задержки выключения
23.4 ns
Прямое напряжение диода
1.2V
Категория
Переключатель управления питанием
Типичная входная емкость при Vds
2090 pF @ 30 V
Конфигурация
Четырехканальный дренаж, одиночный затвор, тройной источник
Типичный заряд затвора при Vgs
41.3 nC @ 10 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
5.7 ns
Номер канала
Enhancement
Материал транзистора
Кремний
Размеры
3.35 x 3.35 x 0.8мм
Длина
3.35mm
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Тип корпуса
POWERDI3333
Максимальный непрерывный ток стока
30 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.8mm
Максимальное сопротивление сток-исток
11.5 mΩ
Число контактов
8
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V

Дополнительная информация

DMT6010LFG, N-Channel Enhancement Mode MOSFET