DS1230AB-120IND+, Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 256Kbit, 32K x 8bit, 120ns Read/Write, Parallel, 4.75V to 5.25V, EDIP-28

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 540 руб.

от 12 шт. — 5 660 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 540 руб.

Номенклатурный номер: 8000564437

Артикул: DS1230AB-120IND+

Полупроводники - Микросхемы\Память\Энергонезависимая SRAM - NVSRAM

NVRAM 256k Энергонезависимая SRAM

Время доступа записи	120нс
Время доступа чтения	120нс
Количество Выводов	28вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Максимальная Рабочая Температура	85°C
Максимальное Напряжение Питания	5.25В
Минимальная Рабочая Температура	-40°C
Минимальное Напряжение Питания	4.75В
Организация Памяти	32К x 8бит
Размер Памяти	256Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти	EDIP
Тип Интерфейса ИС	Параллельный
Вид монтажа	Through Hole
Время доступа	120 ns
Высота	9.4 mm
Длина	39.12 mm
Другие названия товара №	90-1230A+B2I DS1230AB
Категория продукта	NVRAM
Напряжение питания - макс.	5.25 V
Напряжение питания - мин.	4.75 V
Организация	32 k x 8
Подкатегория	Memory Data Storage
Производитель	Maxim Integrated
Рабочее напряжение питания	5 V
Рабочий ток источника питания	85 mA
Размер фабричной упаковки	12
Серия	DS1230AB
Тип	NVSRAM
Тип интерфейса	Parallel
Тип продукта	NVRAM
Торговая марка	Maxim Integrated
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	EDIP-28
Ширина	18.8 mm
Ширина шины данных	8 bit
Вес, г	17.24