DTC114YMT2L, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7500 шт., срок 7 недель
16 руб.
Кратность заказа 500 шт.
от 4000 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 500 шт.
на сумму 8 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: NPN
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 70mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@250uA, 5mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@5mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
Transition Frequency (fT) | 250MHz |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 70 mA |
DC Collector/Base Gain hFE Min: | 68 |
Factory Pack Quantity: | 8000 |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | VMT-3 |
Part # Aliases: | DTC114YM |
Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
Peak DC Collector Current: | 100 mA |
Product Category: | Digital Transistors |
Product Type: | Digital Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.2 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1107 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.