DTC115EEBTL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт. со склада г.Екатеринбург
88 руб.
от 5 шт. —
71 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 88 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Digital Trans w/Res EMT3F
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Другие названия товара № | DTC115EEB |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 100 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-416FL-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DTC115EEBTL
pdf, 1326 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.