DZT5551-13, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 130 МГц, 2 Вт, 600 мА, 30 hFE

Фото 1/6 DZT5551-13, Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 130 МГц, 2 Вт, 600 мА, 30 hFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 руб.
от 5 шт.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 36 руб.
Номенклатурный номер: 9000596324
Артикул: DZT5551-13
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 1000mW 160Vceo

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 160В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Рассеиваемая Мощность 2Вт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 600ма
DC Усиление Тока hFE 30hFE
Частота Перехода ft 130МГц
Вес, г 1.85

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 165 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 145 КБ
Datasheet DZT5551-13
pdf, 150 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов