E3M0120090D, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 23 А, 900 В, 0.12 Ом, TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

83 шт., срок 7-9 недель

2 440 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 2 290 руб.

от 10 шт. — 2 180 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 4 880 руб.

Номенклатурный номер: 8000695113

Артикул: E3M0120090D

Бренд: WOLFSPEED

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.12Ом
Power Dissipation	97Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Линейка Продукции	E
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	900В
Непрерывный Ток Стока	23А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.1В
Рассеиваемая Мощность	97Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.12Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Вес, г	0.1