FCH47N60_F085, MOSFET N-Ch 600V 47A Supe

PartNumber: FCH47N60_F085
Ном. номер: 8016111190
Производитель: Fairchild Semiconductor
FCH47N60_F085, MOSFET N-Ch 600V 47A Supe
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 000 × = 1 000
от 10 шт. — 750 руб.
от 20 шт. — 650.50 руб.

Описание

SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 600V 47A SuperFET TO247

Технические параметры

Категория
МОП-транзистор SuperFET
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.223 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
417 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
187 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
5900 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
540 нс
Типичное время задержки включения
110 нс
Ширина
4.82mm
Материал транзистора
Si
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
20.82mm
Длина
15.87mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

FCH47N60_F085, N-Channel MOSFET 600V, 47A, 79mOhm