FCP11N60N, MOSFET N Channel 600V 10

PartNumber: FCP11N60N
Ном. номер: 8036594774
Производитель: Fairchild Semiconductor
FCP11N60N, MOSFET N Channel 600V 10
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
400 × = 400
от 10 шт. — 210 руб.
от 20 шт. — 178.50 руб.

Описание

SupreMOS® MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild brings a new generation of 600V Super-Junction MOSFETs - SupreMOS®.
The combination of their low RDS(on) and total gate charge brings a 40 percent lower Figure of Merit (FOM) compared to Fairchild's 600V SuperFET™ MOSFETs. In addition, the SupreMOS family offers a low gate charge for the same RDS(on), providing excellent switching performance and delivering 20 percent less switching and conduction losses, resulting in higher efficiency.
These features enable power supplies to meet ENERGY STAR® 80 PLUS Gold classification for desktop PCs and Platinum classification for servers.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N Channel 600V 10.8A TO220AB

Технические параметры

Конфигурация
Single
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
10.16 x 4.7 x 15.9
Длина
10.16mm
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Тип корпуса
TO-220F
Максимальный непрерывный ток стока
10.8 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
15.9mm
Количество элементов на ИС
1
Ширина
4.7mm
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
1130 пФ при 100 В
Типичный заряд затвора при Vgs
27.4 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Through Hole
Типичное время задержки включения
13.6 нс
Материал транзистора
Si
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Типичное время задержки выключения
42 нс
Максимальное рассеяние мощности
94 W
Максимальное сопротивление сток-исток
0.3 Ω

Дополнительная информация

FCP11N60N / FCPF11N60NT N-Channel MOSFET Data ...