Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В ...

FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

от 15 шт. — 462 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 9000616787

Артикул: FDA38N30

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

MOSFET, N-CH, 300V, 38A, TO-3PN-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:312W; Transistor Case Style:TO-204AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	38
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.085 Ом/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	312
Корпус	to-3pn
Вес, г	6.5